Galliumnitrid (GaN)-FETs
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Menge | Drain-Source-Spannung Vds | Dauer-Drainstrom Id | Drain-Source-Durchgangswiderstand | Durchgangswiderstand, Rds(on), max. | Gate-Ladung, typ. | Bauform - Transistor | Transistormontage | Anzahl der Pins | Produktpalette | Qualifikation | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GAN063-650WSAQ
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3106435 |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, Gan FET, 650 V, 34.5 A, 0.06 ohm, 15 nC, TP-247, Durchsteckmontage NEXPERIA
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650V | 34.5A | 0.06ohm | - | 15nC | TP-247 | Durchsteckmontage | 3Pin(s) | - | AEC-Q101 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GAN041-650WSBQ
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3759053 |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Durchsteckmontage NEXPERIA
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650V | 47.2A | 0.041ohm | - | 22nC | TO-247 | Durchsteckmontage | 3Pin(s) | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IGLD60R190D1AUMA1
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3407386 |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage INFINEON
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600V | 10A | 0.14ohm | - | 3.2nC | PG-LSON-8-1 | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | CollGaN-Series | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IGLD60R190D1AUMA3
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3775954 |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage INFINEON
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600V | 10A | 0.19ohm | - | 3.2nC | LSON | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | CoolGaN | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IGOT60R070D1AUMA3
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3775931 |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage INFINEON
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600V | 31A | 0.07ohm | - | 5.8nC | SOIC | Oberflächenmontage | 20Pin(s) | CoolGaN | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGLD60R190D1AUMA3
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3775954RL |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage INFINEON
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600V | 10A | 0.19ohm | 0.19ohm | 3.2nC | LSON | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | CoolGaN | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGLD60R070D1AUMA3
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3775953 |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage INFINEON
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600V | 15A | 0.07ohm | - | 5.8nC | LSON | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | CoolGaN | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGLD60R190D1AUMA1
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3407386RL |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage INFINEON
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600V | 10A | 0.14ohm | 0.14ohm | 3.2nC | PG-LSON-8-1 | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | CollGaN-Series | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGO60R070D1AUMA2
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3775930RL |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage INFINEON
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600V | 31A | 0.07ohm | 0.07ohm | 5.8nC | SOIC | Oberflächenmontage | 20Pin(s) | CoolGaN | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGOT60R070D1AUMA3
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3775931RL |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage INFINEON
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600V | 31A | 0.07ohm | 0.07ohm | 5.8nC | SOIC | Oberflächenmontage | 20Pin(s) | CoolGaN | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGO60R070D1AUMA2
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3775930 |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage INFINEON
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600V | 31A | 0.07ohm | - | 5.8nC | SOIC | Oberflächenmontage | 20Pin(s) | CoolGaN | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGLD60R070D1AUMA3
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3775953RL |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage INFINEON
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600V | 15A | 0.07ohm | 0.07ohm | 5.8nC | LSON | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | CoolGaN | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGOT60R070D1AUMA1
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2981533 |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage INFINEON
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1+ 11,20 € 13,33 € 5+ 11,13 € 13,24 € 10+ 11,07 € 13,17 € 50+ 11,00 € 13,09 € |
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600V | 31A | 0.07ohm | - | 5.8nC | SOIC | Oberflächenmontage | 20Pin(s) | CoolGaN | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGLR60R340D1XUMA1
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4228346RL |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage INFINEON
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10+ 3,21 € 3,82 € 100+ 2,60 € 3,09 € 500+ 2,46 € 2,93 € 1000+ 2,12 € 2,52 € |
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600V | 8.2A | 0.27ohm | - | 1.2nC | TSON | Oberflächenmontage | 5Pin(s) | CollGaN Series | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GAN190-650EBEZ
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4198481 |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage NEXPERIA
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1+ 2,84 € 3,38 € 10+ 2,76 € 3,28 € 100+ 2,70 € 3,21 € 500+ 2,65 € 3,15 € 1000+ 2,59 € 3,08 € |
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650V | 11.5A | 0.138ohm | - | 2.8nC | DFN8080 | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GAN140-650EBEZ
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4198480 |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080, Oberflächenmontage NEXPERIA
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1+ 4,46 € 5,31 € 10+ 3,40 € 4,05 € 100+ 2,96 € 3,52 € 500+ 2,90 € 3,45 € 1000+ 2,84 € 3,38 € |
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650V | 17A | 0.106ohm | - | 3.5nC | DFN8080 | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GAN140-650FBEZ
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4198479 |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN5060, Oberflächenmontage NEXPERIA
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1+ 4,16 € 4,95 € 10+ 3,89 € 4,63 € 100+ 3,81 € 4,53 € 500+ 3,73 € 4,44 € 1000+ 3,66 € 4,36 € |
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650V | 17A | 0.106ohm | - | 3.5nC | DFN5060 | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGLR60R190D1XUMA1
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4228344 |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage INFINEON
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Stück (Gurtabschnitt)
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1+ 5,19 € 6,18 € 10+ 4,12 € 4,90 € 100+ 3,33 € 3,96 € 500+ 3,14 € 3,74 € 1000+ 2,69 € 3,20 € |
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600V | 12.8A | 0.14ohm | - | 3.2nC | TSON | Oberflächenmontage | 5Pin(s) | CollGaN Series | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GANB4R8-040CBAZ
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4414365 |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage NEXPERIA
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Stück (Gurtabschnitt)
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1+ 2,02 € 2,40 € 10+ 1,92 € 2,28 € 100+ 1,76 € 2,09 € 500+ 1,66 € 1,98 € 1000+ 1,53 € 1,82 € |
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-V | 20A | -ohm | - | 15.8nC | WLCSP | Oberflächenmontage | 22Pin(s) | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GAN190-650EBEZ
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4198481RL |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN8080, Oberflächenmontage NEXPERIA
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Stück (Gurtabschnitt)
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100+ 2,70 € 3,21 € 500+ 2,65 € 3,15 € 1000+ 2,59 € 3,08 € |
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650V | 11.5A | 0.138ohm | - | 2.8nC | DFN8080 | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GNP1150TCA-ZE2
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4179927 |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.7 nC, DFN8080AK, Oberflächenmontage ROHM
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1+ 7,38 € 8,78 € 10+ 6,21 € 7,39 € 100+ 6,09 € 7,25 € 500+ 5,96 € 7,09 € 1000+ 5,84 € 6,95 € |
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650V | 11A | 0.15ohm | - | 2.7nC | DFN8080AK | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | EcoGaN Series | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GAN190-650FBEZ
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4198482RL |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Oberflächenmontage NEXPERIA
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650V | 11.5A | 0.138ohm | - | 2.8nC | DFN5060 | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IGLR60R190D1XUMA1
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4228344RL |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12.8 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, TSON, Oberflächenmontage INFINEON
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600V | 12.8A | 0.14ohm | - | 3.2nC | TSON | Oberflächenmontage | 5Pin(s) | CollGaN Series | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GNP1070TC-ZE2
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4172944 |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 5.2 nC, DFN8080K, Oberflächenmontage ROHM
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Stück (Gurtabschnitt)
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650V | 20A | 0.07ohm | - | 5.2nC | DFN8080K | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GAN3R2-100CBEAZ
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4198483 |
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 60 A, 0.0024 ohm, 9.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage NEXPERIA
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100V | 60A | 0.0024ohm | - | 9.2nC | WLCSP | Oberflächenmontage | 8Pin(s) | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||