Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module

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SCT20N120
SCT20N120 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247

2807234

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247

STMICROELECTRONICS

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Eins n-Kanal - 20A 1.2kV 0.169ohm - HiP247 3Pin(s) 20V 3.5V - 175W 200°C -
SCT3017ALGC11
SCT3017ALGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N

2947063

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 118 A, 650 V, 0.017 ohm, TO-247N

ROHM

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Eins n-Kanal - 118A 650V 0.017ohm - TO-247N 3Pin(s) 18V 5.6V - 427W 175°C -
C3M0065100J
C3M0065100J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)

2749950

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 35 A, 1 kV, 0.065 ohm, TO-263 (D2PAK)

WOLFSPEED

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Eins n-Kanal - 35A 1kV 0.065ohm - TO-263 (D2PAK) 7Pin(s) 15V 2.1V - 113.5W 150°C C3M
MD200HFR120C2S
MD200HFR120C2S - Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 299 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm

2986056

Siliziumkarbid-MOSFET, Siliziumkarbid, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 299 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm

STARPOWER

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Halbbrücke Zweifach n-Kanal - 299A 1.2kV 0.0087ohm - Module - 18V 5.6V - - 150°C -
IMZ120R140M1HXKSA1
IMZ120R140M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247

3223687

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247

INFINEON

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Eins n-Kanal - 19A 1.2kV 0.14ohm - TO-247 4Pin(s) 18V 4.5V - 94W 175°C CoolSiC
C3M0021120D
C3M0021120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247

3257419

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.021 ohm, TO-247

WOLFSPEED

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Eins n-Kanal - 100A 1.2kV 0.021ohm - TO-247 3Pin(s) 15V 2.5V - 469W 175°C C3M
SCT3080ALGC11
SCT3080ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30A, 650V, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V

2678786

Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 30A, 650V, 0.08 Ohm, 18V, 5.6V

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Eins n-Kanal - 30A 650V 0.08ohm - TO-247N 3Pin(s) 18V 5.6V - 134W 175°C -
NVHL040N120SC1
NVHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247

3464026

Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247

ONSEMI

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1+ 15,97 € 19,00 € 5+ 15,96 € 18,99 € 10+ 15,95 € 18,98 € 50+ 15,94 € 18,97 € 100+ 15,93 € 18,96 €

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- - - 60A 1.2kV 0.056ohm - - 3Pin(s) 20V 4.3V - 348W 175°C -
NTBG160N120SC1
NTBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)

3528497RL

Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)

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Eins n-Kanal n-Kanal 19.5A 1.2kV 0.16ohm 0.16ohm TO-263HV (D2PAK) 7Pin(s) 20V 3V 136W 136W 175°C -
IMBG120R350M1HXTMA1
IMBG120R350M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)

3582467

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4.7 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)

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1+ 5,83 € 6,94 € 5+ 5,29 € 6,30 € 10+ 4,75 € 5,65 € 50+ 4,46 € 5,31 € 100+ 4,17 € 4,96 € 250+ 4,04 € 4,81 € Weitere Preise …

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Eins n-Kanal - 4.7A 1.2kV 0.35ohm - TO-263 (D2PAK) 7Pin(s) 18V 4.5V - 65W 175°C CoolSiC
G3R45MT17K
G3R45MT17K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247

3598624

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247

GENESIC SEMICONDUCTOR

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1+ 66,69 € 79,36 € 5+ 58,36 € 69,45 € 10+ 48,35 € 57,54 € 50+ 43,35 € 51,59 €

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Eins n-Kanal - 61A 1.7kV 0.045ohm - TO-247 4Pin(s) 15V 2.7V - 438W 175°C G3R
SCT3040KLGC11
SCT3040KLGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 55A, 1.2kV, 0.04 Ohm, 18V, 5.6V

2680147

Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 55A, 1.2kV, 0.04 Ohm, 18V, 5.6V

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1+ 34,84 € 41,46 € 5+ 32,06 € 38,15 € 10+ 29,28 € 34,84 € 50+ 29,01 € 34,52 € 100+ 27,91 € 33,21 €

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Eins n-Kanal - 55A 1.2kV 0.04ohm - TO-247N 3Pin(s) 18V 5.6V - 262W 175°C -
SCT3080KLHRC11
SCT3080KLHRC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N

3052190

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247N

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1+ 16,84 € 20,04 € 5+ 16,10 € 19,16 € 10+ 15,36 € 18,28 € 50+ 15,05 € 17,91 € 100+ 14,75 € 17,55 € 250+ 14,44 € 17,18 € Weitere Preise …

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Eins n-Kanal - 31A 1.2kV 0.08ohm - TO-247N 3Pin(s) 18V 5.6V - 165W 175°C -
SCT3030ARC14
SCT3030ARC14 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247

3241768

Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 70 A, 650 V, 0.03 ohm, TO-247

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Eins n-Kanal - 70A 650V 0.03ohm - TO-247 4Pin(s) 18V 5.6V - 262W 175°C -
NVBG020N090SC1
NVBG020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)

3367862

Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 112 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)

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Eins n-Kanal - 112A 900V 0.02ohm - TO-263 (D2PAK) 7Pin(s) 15V 2.6V - 477W 175°C -
BSM400D12P2G003
BSM400D12P2G003 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Module

3573228

Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Module

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- - - 400A 1.2kV -ohm - - -Pin(s) -V 4V - 2.45kW 150°C -
G3R160MT12J
G3R160MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)

3598649

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263 (D2PAK)

GENESIC SEMICONDUCTOR

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1+ 6,77 € 8,06 € 5+ 6,30 € 7,50 € 10+ 5,83 € 6,94 € 50+ 5,76 € 6,85 € 100+ 5,68 € 6,76 € 250+ 5,61 € 6,68 € Weitere Preise …

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Eins n-Kanal - 22A 1.2kV 0.16ohm - TO-263 (D2PAK) 7Pin(s) 15V 2.69V - 128W 175°C G3R
SCT3030ALGC11
SCT3030ALGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 70A, 650V, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V

2678783

Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 70A, 650V, 0.03 Ohm, 18V, 5.6V

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Eins n-Kanal - 70A 650V 0.03ohm - TO-247N 3Pin(s) 18V 5.6V - 262W 175°C -
IMZA65R048M1HXKSA1
IMZA65R048M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247

3500948

Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247

INFINEON

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Eins n-Kanal - 39A 650V 0.048ohm - TO-247 4Pin(s) 18V 4.5V - 125W 150°C CoolSiC M1
SCTW35N65G2V
SCTW35N65G2V - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247

3387274

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 45 A, 650 V, 0.045 ohm, TO-247

STMICROELECTRONICS

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Eins n-Kanal - 45A 650V 0.045ohm - TO-247 3Pin(s) 20V 3.2V - 240W 200°C -
NTBG040N120SC1
NTBG040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)

3463999

Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263HV (D2PAK)

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Eins n-Kanal - 60A 1.2kV 0.04ohm - TO-263HV (D2PAK) 7Pin(s) 20V 3V - 357W 175°C -
IMBF170R450M1XTMA1
IMBF170R450M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)

3577330

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 9.8 A, 1.7 kV, 0.364 ohm, TO-263 (D2PAK)

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Eins n-Kanal - 9.8A 1.7kV 0.364ohm - TO-263 (D2PAK) 7Pin(s) 15V 4.5V - 107W 175°C CoolSiC
BSM400D12P3G002
BSM400D12P3G002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Module

3573231

Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 400 A, 1.2 kV, Module

ROHM

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Halbbrücke Zweifach n-Kanal - 400A 1.2kV - - Module - - 5.6V - 1.57kW 150°C -
BSM300D12P3E005
BSM300D12P3E005 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Module

3573226

Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Module

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- - - 300A 1.2kV -ohm - - -Pin(s) -V 5.6V - 1.26kW 150°C -
IMBG120R030M1HXTMA1
IMBG120R030M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)

3582461

Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 56 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)

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Eins n-Kanal - 56A 1.2kV 0.03ohm - TO-263 (D2PAK) 7Pin(s) 18V 4.5V - 300W 175°C CoolSiC