CoolSiC™ für Energieeffizienz der nächsten Stufe
Ideal für ein großes Anwendungsspektrum
CoolSiC™-Produkte von Infineon Technologies: Unübertroffene Zuverlässigkeit, Vielfalt und Systemvorteile. SiC-Technologie von Infineon!
Als führender Hersteller von Stromversorgungslösungen mit mehr als 20-jähriger Erfahrung in der Entwicklung der Siliziumkarbid (SiC)-Technologie, ist Infineon gut aufgestellt, um den Bedarf an intelligenterer, effizienterer Energieerzeugung und -übertragung sowie intelligenterem, effizienterem Verbrauch zu decken. Die Fachleute des Unternehmens wissen, was für die Reduktion der Systemkomplexität erforderlich ist, was zu geringeren Systemkosten und -größen bei Systemen mit mittlerer bis hoher Leistung führt.
Mit dem umfangreichen Produktportfolio von Infineon, das den höchsten Qualitätsstandards entspricht, werden eine lange Systemlebensdauer und Zuverlässigkeit gewährleistet. Infineon verfügt über die gesamte Lieferkette und bietet unvoreingenommene Design-In-Unterstützung für Si, GaN und SiC. Wenden Sie sich an Infineon, Ihren zuverlässigen SiC-Hersteller, und werden Sie Teil einer Revolution, auf die Sie sich verlassen können – unabhängig von Ihrer individuellen Entwicklung und Ihren Systemanforderungen.
Mehr als 20 Jahre praktische Erfahrung machen uns zu einem zuverlässigen Partner
Klicken Sie hier, um das Bild zu vergrößernMehr über unser Siliziumkarbid-Portfolio
Wir erweitern das bereits bestehende Si-Sortiment kontinuierlich um Produkte auf SiC-Basis, einschließlich der revolutionären CoolSiC™-MOSFETs mit Trench-Technologie. Heute bietet das Unternehmen eines der umfassendsten Angebote an Stromversorgungslösungen der Branche – von Bausteinen für eine äußerst niedrige Spannung bis zu hoher Spannung. Wir stellen nicht nur die Verfügbarkeit der am besten geeigneten Lösungen sicher, sondern haben auch das SiC-basierte Produktangebot optimiert, um die spezifischen Anwendungsanforderungen zu erfüllen. Als Reaktion darauf, dass Leistungstransistoren mit hoher Schaltfrequenz wie CoolSiC™-MOSFETs durch den Einsatz von isolierten Gate-Ausgangssektionen einfacher gehandhabt werden können, erhalten unsere Kunden die perfekt aufeinander abgestimmten galvanisch getrennten EiceDRIVER™-Gate-Treiber-ICs, die auf unserer kernlosen Transformatortechnologie basieren. Die Produktion von mehreren Millionen Hybridmodulen (eine Kombination aus einem schnellen siliziumbasierten Switch mit einer CoolSiC™-Shottky-Diode) in den letzten Jahren hat zu einem enormen Aufbau von Know-how und Kapazitäten geführt und weiter zu unserer Technologieführerschaft beigetragen.
Unterstützung der nächsten Generation von leistungsstarken Systemen
Erfahren Sie, wie der neue CoolSiC™-MOSFET-G2-Trench-MOSFET ein neues Maß an SiC-Leistung ermöglicht und gleichzeitig die höchsten Qualitätsstandards in allen gängigen Kombinationen von Stromversorgungssystemen erfüllt: AC/DC, DC/DC und DC/AC. Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeichersysteme, Laden von Elektrofahrzeugen, Netzteile, Motorantriebe und mehr gehören zu den vielen Fällen, in denen SiC-MOSFETs im Vergleich zu Si-Alternativen zusätzliche Leistung bieten.
Merkmale:
- CoolSiC-MOSFET G2 (400 V / 650 V / 1200 V)
- Niedrigster verfügbarer RDS(on)
- Größtes Produktportfolio
- Einzigartige Robustheitseigenschaften
Machen Sie CoolSiC™ zu einem Teil Ihrer Anwendung
CoolSiC™ – Erfolgsgeschichten von Kunden
Cold-Split-Technologie
CoolSiC™ – Trench-Technologie – eine Revolution, auf die man sich verlassen kann
CoolSiC™ – Die perfekte Lösung für Servoantriebe
CoolSiC™-MOSFET in Servoantriebsanwendungen
Microlearning: CoolSiC™-MOSFET in einer EV-Ladeanwendung
Die CoolSiC™-Produktkategorien von Infineon: Finden Sie die passenden Produkte
Infineon hat das bereits bestehende Si-Sortiment kontinuierlich um Produkte auf SiC-Basis erweitert, einschließlich der revolutionären CoolSiC™-MOSFETs mit Trench-Technologie. Heute bietet das Unternehmen eines der umfassendsten Angebote an Stromversorgungslösungen der Branche – von Bausteinen für eine äußerst niedrige Spannung bis zu hoher Spannung. Wir stellen nicht nur die Verfügbarkeit der am besten geeigneten Lösungen sicher, sondern haben auch das SiC-basierte Produktangebot optimiert, um die spezifischen Anwendungsanforderungen zu erfüllen.
CoolSiC™ MOSFETs – DISCRETES
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 IMT65R022M1H | CoolSiC™ 650 V, 27 mΩ SiC-based trench MOSFET | PG-HSOF-8 |
|
 IMT65R030M1H | CoolSiC™ MOSFET discrete 650 V in TOLL package | PG-HSOF-8 | |
 IMT65R057M1H | CoolSiC™ MOSFET discrete 650 V in TOLL package | PG-HSOF-8 | |
 AIMBG75R016M1HXTMA1 | The CoolSiC™ MOSFET 750 V is a highly robust SiC MOSFET for the best system performance and reliability. | PG-TO263-7 |
|
 AIMDQ75R016M1HXUMA1 | The CoolSiC™ MOSFET 750 V is a highly robust SiC MOSFET for the best system performance and reliability. | PG-HDSOP-22 | |
 IMZ120R060M1H | CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package | PG-TO247-4 |
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 IMBG120R053M2H | CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package | PG-TO-263-7 |
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 IMYH200R024M1H | CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET | PG-TO-247PLUS-4-HCC |
|
 IMW120R030M1H | CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET | PG-TO247-3 |
|
 IMBF170R1K0M1 | CoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET | PG-TO-263-7 |
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CoolSiC™ MOSFETs - MODULES
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 FS55MR12W1M1H_B11 | Sixpack 1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy Module | AG-EASY1B |
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 FS33MR12W1M1H_B11 | CoolSiC™ MOSFET sixpack module 1200 V | AG-EASY1B |
|
 F3L11MR12W2M1HP_B19 | CoolSiC™ MOSFET 3-level module 1200 V | AG-EASY2B |
|
 FF2MR12W3M1H_B11 | Half-bridge 1200 V CoolSiC™ MOSFET Easy Module | AG-EASY3B |
|
 F4-11MR12W2M1HP_B76 | CoolSiC™ MOSFET fourpack module 1200 V | AG-EASY2B |
|
 FF1MR12KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 1200 V | AG-62MMHB |
|
 FF2MR12KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 1200 V | AG-62MMHB | |
 FF6MR12KM1H | Half-bridge 1200 V CoolSiC™ MOSFET Module | AG-62MMHB | |
 FF3MR20KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 2000 V | AG-62MMHB |
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 FF4MR20KM1H | CoolSiC™ MOSFET half bridge module 2000 V | AG-62MMHB |
EiceDRIVER™ SiC MOSFET Gate Driver ICs
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 1ED3321MC12N | 2300 V single-channel isolated gate driver with short-circuit protection, active Miller clamp and soft-off, UL 1577 & VDE 0884-11 certified | PG-DSO-16 |
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 1ED3142MU12F | 6.5 A, 3 kV (rms) single-channel isolated gate driver with separate output, UL 1577 certified, 13.6 V UVLO | PG-DSO-8 |
|
 1ED3125MU12F | 10 A, 3.0 kV (rms) single-channel isolated gate driver with active Miller clamp, UL 1577 certified, 10.5 V UVLO | PG-DSO-8 | |
 2EDS9265H | Fast, robust, dual-channel, reinforced isolated MOSFET gate driver with accurate and stable timing | PG-DSO-16 |
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 2EDF9275F | Fast, robust, dual-channel, functional isolated MOSFET gate driver with accurate and stable timing | PG-DSO-16 |
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CoolSiC™ MOSFET – DISCRETE
| Part number | Specification | Package | Applications |
|---|---|---|---|
 AIKBE50N65RF5ATMA1 | Automotive Silicon-carbide (SiC) Hybrid Discrete 650 V in D2PAK-7L | PG-TO263-7 |
|
 AIMBG120R040M1XTMA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in D2PAK-7L, 40mΩ | PG-TO263-7 |
|
 AIMBG120R080M1XTMA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in D2PAK-7L, 80mΩ | PG-TO263-7 |
|
 AIMZH120R010M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 8.7mΩ | PG-TO247-4 |
|
 AIMZH120R020M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 20mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R030M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 30mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R040M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbid (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 40mΩ | PG-TO247-4 |
|
 AIMZH120R060M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 60mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R080M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 80mΩ | PG-TO247-4 | |
 AIMZH120R120M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 120mΩ | PG-TO247-4 |
|
 AIMZH120R160M1TXKSA1 | Automotive 1200V Silicon-carbide (SiC) Trench Power MOSFET in TO247-4L (thin leads), 160mΩ | PG-TO247-4 |
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 FS05MR12A6MA1BBPSA1 | This HybridPACK™ Drive is a very compact six-pack module (1200V/200A) optimized for hybrid and electric vehicles. | AG-HDG1-3211 |
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 FS03MR12A6MA1BBPSA1 | This HybridPACK™ Drive is a very compact six-pack module (1200V/400A) optimized for hybrid and electric vehicles. | AG-HDG1-3211 |
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 FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 | EasyPACK™ CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200V Half Bridge Module | AG-EASY1BA-3211 |
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| Part number | Description | Target applications | Key features and benefits |
|---|---|---|---|
 Mother board: EVAL_PS_SIC_DP_MAIN | EVAL_PS_SIC_DP_MAIN CoolSiC™ MOSFET 1200 V in TO-247 3-/4-pin evaluation platform (mother board) User Guide | Solutions for solar energy systems, EV charging, UPS, power supplies, motor control and drives | Features:
Benefits:
|
 Daughter board: REF_PS_SIC_DP1 | REF_PS_SIC_DP1 Miller clamp function board for EVAL_PS_SIC_DP_MAIN (daughter board / drive card) | ||
 Daughter board: REF_PS_SIC_DP2 | REF_PS_SIC_DP2 Bipolar supply function board for EVAL_PS_SIC_DP_MAIN (daughter board / drive card) | ||
 EVAL-COOLSIC-2KVHCC | Evaluation Board as adaptable double pulse tester for 2000 V discrete CoolSiC™ MOSFETs in TO-247-4-PLUS-HCC package with compact single channel isolated gate driver EiceDRIVER™ 1ED3124MU12H1200 | Industrial | Features:
Benefits:
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 EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC | 3300 W CCM bidirectional totem-pole PFC unit using CoolSiC™ 650 V, 600 V CoolMOS™ C7, and digital control via XMC™ microcontroller | High-end server, datacenter, telecom | Features:
Benefits:
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Podcast4Engineers von Infineon
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