Infineon

Universelle Leistungs-MOSFETs
≤ 250 V und ≥ 500 V — die richtige Lösung für Ihr Design

Ziel von Infineon ist es, alle Kunden zu bedienen, indem es Leistungs-MOSFETs bereitstellt, die Ihren Design-, Preis- und logistischen Anforderungen entsprechen. Dieses Engagement setzen wir durch unser ausgewähltes Portfolio an universellen Niedrig- und Hochleistungs-MOSFETs um.

Das Portfolio deckt den Niederspannungsbereich bis 250 V und den Hochspannungsbereich von 500 V bis 900 V ab. Darüber hinaus sind die universellen Leistungs-MOSFETs von Infineon in einer Vielzahl von Gehäusen wie SOT-23, PQFN, SuperSO8, TO-252 (DPAK), SOT-223 und TO-220 (FullPAK, FullPAK narrow lead) verfügbar.

Anwendungsbereiche

  • SMPS
  • Ladegeräte und Adapter
  • Beleuchtung
  • Server/Telekommunikation
  • TV-Netzteile
  • Batteriebetriebene Anwendungen
  • Motorsteuerungen und -treiber
  • Batterie-Managementsysteme

Benutzerfreundlichkeit der MOSFETs von Infineon in der Produktentwicklung von Leistungs-MOSFETs

Kundennutzen

Suchen Sie nach flexiblen Leistungs-MOSFETs, die in einem breiten Anwendungsspektrum eingesetzt werden können? Optimieren Sie den Wert Ihres Endprodukts, indem Sie sich für Infineon entscheiden – einen zuverlässigen Partner mit Systemverständnis und technologischem Know-how. Die Erfüllung Ihrer individuellen Design- und Systemanforderungen hat für uns oberste Priorität.

Universelle MOSFET-Gehäuse

Niederspannungs-MOSFETs ≤ 250 V

PQFN 3.3x3.3

Für höchste Effizienz und Power-Management
PQFN 3.3x3.3

SOT-223

Am besten geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen und Schaltungen
SOT-223

SOT-23

Kompaktes Gehäuse für Anwendungen mit niedrigerer Leistung
SOT-23

SuperSO8 5x6

Für höchste Effizienz und Power-Management
SuperSO8 5x6

TO-220

Optimiert für Anwendungen mit einer niedrigen Frequenz und einer hohen Strombelastbarkeit.
TO-220

DPAK PQFN

Ideal für Anwendungen mit mittlerer Leistung
DPAK PQFN

TSOP-6

Die Leistungs-MOSFETs der Produktfamilie StrongIRFET™ sind für einen niedrigen RDS(on) und eine hohe Strombelastbarkeit optimiert.
TSOP-6

Hochspannungs-MOSFETs ≥ 500 V

TO-252 (DPAK)

Ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern.
TO-252 (DPAK)

TO-263 (D²PAK)

Die dritte Baureihe von CoolMOS™ C3 von Infineon ist das „Arbeitstier“ des Portfolios.
TO-263 (D²PAK)

TO-220

Optimiert für Anwendungen mit einer hohen Frequenz und einer hohen Strombelastbarkeit.
TO-220

TO-220 FP

Für ein erstklassiges Preis-Leistungs-Verhältnis und eine hohe Zuverlässigkeit.
OptiMOS™-Leistungs-MOSFETs

TO-220-FP NL

Optimal, um eine hohe Effizienz mit Benutzerfreundlichkeit im Designprozess in Einklang zu bringen.
TO-220-FP NL

TO-247

Die dritte Baureihe von CoolMOS™ C3 von Infineon ist das „Arbeitstier“ des Portfolios.
TO-247

Empfohlene Produkte

Niederspannungs-MOSFETs ≤ 250 V

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Dieses ausgewählte Portfolio an energiesparenden MOSFETs bietet einfache Lösungen zu konkurrenzfähigen Preisen, die eine breite Verfügbarkeit und etablierte Qualität aufweisen.

Gehäuse
Spannungsklasse		PQFN 3.3x3.3SOT-223SOT-23SuperSO8 5x6TO-220DPAKPQFN 2x2TSOP-6
-60 VISP25DP06LM
RDS(on) @10 V max = 250 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 310 mΩ

ISP25DP06NM
RDS(on) @10 V max = 250 mΩ

ISP650P06NM
RDS(on) @10 V max = 65 mΩ

ISP75DP06LM
RDS(on) @10 V max = 700 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 1 Ω
 ISS55EP06LM
RDS(on) @10 V max = 5,5 Ω
RDS(on) @4,5 V max = 7 Ω
-30 V IRLML9303
RDS(on) @10 V max = 165 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 270 mΩ

IRLML9301
RDS(on) @10 V max = 64 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 103 mΩ 		IRFHS9301
RDS(on) @10 V max = 37 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 65 mΩ

IRFHS9351
RDS(on) @10 V max = 170 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 290 mΩ 		IRFTS9342
RDS(on) @10 V max = 40 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 66 mΩ
-20 VIRLML2244
RDS(on) @4,5 V max = 54 mΩ

IRLML2246
RDS(on) @4,5 V max = 135 mΩ		IRLHS2242
RDS(on) @4,5 V max = 31 mΩ		IRLTS2242
RDS(on) @4,5 V max = 32 mΩ
20 VIRLML6246
RDS(on) @4,5 V max = 46 mΩ

IRLML6244
RDS(on) @4,5 V max = 21 mΩ		IRLHS6242
RDS(on) @4,5 V max = 11,7 mΩ

IRLHS6276
RDS(on) @4,5 V max = 45 mΩ
25 VIRFML8244
RDS(on) @10 V max = 24 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 41 mΩ		IRFHS8242
RDS(on) @10 V max = 13 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 21 mΩ
30 VIRFHM830
RDS(on) @10 V max = 3,8 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 6 mΩ

ISZ040N03L5IS
RDS(on) @10 V max = 4 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 5,7 mΩ

ISZ019N03L5S
RDS(on) @10 V max = 1,9 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 2,5 mΩ

ISZ065N03L5S
RDS(on) @10 V max = 6,5 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 8,6 mΩ		IRLML0030
RDS(on) @10 V max = 27 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 40 mΩ

IRLML6344
RDS(on) @4,5 V max = 29 mΩ

IRLML2030
RDS(on) @10 V max = 100 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 154 mΩ

IRLML6346
RDS(on) @4,5 V max = 63 mΩ		ISC019N03L5S
RDS(on) @10 V max = 1,9 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 2,4 mΩ

ISC037N03L5IS
RDS(on) @10 V max = 3,7 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 5,2 mΩ

ISC026N03L5S
RDS(on) @10 V max = 2,6 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 3,5 mΩ

ISC011N03L5S
RDS(on) @10 V max = 1,1 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 1,4 mΩ

IRFH8307
RDS(on) @10 V max = 1,3 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 2,1 mΩ

IRFH8324
RDS(on) @10 V max = 4,1 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 6,3 mΩ

ISC045N03L5S
RDS(on) @10 V max = 4,5 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 6,4 mΩ

IRFH8311
RDS(on) @10 V max = 2,1 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 3,2 mΩ

IRFH8318
RDS(on) @10 V max = 3,1 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 4,6 mΩ

IRFH8303
RDS(on) @10 V max = 3,1 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 4,6 mΩ

IRFH8334
RDS(on) @10 V max = 9 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 13,5 mΩ

IRFH8325
RDS(on) @10 V max = 5 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 7,2 mΩ		IRLB8743
RDS(on) @10 V max = 3,2 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 4,2 mΩ

IRLB8314
RDS(on) @10 V max = 2,4 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 3,2 mΩ

IRLB8721
RDS(on) @10 V max = 8,7 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 16 mΩ

IRLB8748
RDS(on) @10 V max = 4,8 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 6,8 mΩ

IRLB3813
RDS(on) @10 V max = 1,95 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 2,6 mΩ 		IRLR8743
RDS(on) @10 V max = 3,1 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 3,9 mΩ

IRLR8726
RDS(on) @10 V max = 5,8 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 8 mΩ

IRFR8314
RDS(on) @10 V max = 2,2 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 3,1 mΩ		IRFHS8342
RDS(on) @10 V max = 16 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 25 mΩ

IRLHS6376
RDS(on) @4,5 V max = 63 mΩ
IRLTS6342
RDS(on) @4,5 V max = 17,5 mΩ

IRFTS8342
RDS(on) @10 V max = 19 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 29 mΩ
40 VIRLML0040
RDS(on) @10 V max = 56 mΩ
RDS(on) @4,5 V max = 78 mΩ
60 VSN7002I
RDS(on) @10 V max = 5 Ω
RDS(on) @4,5 V max = 7,5 Ω

BSS138I
RDS(on) @10 V max = 3,5 Ω
RDS(on) @4,5 V max = 6 Ω 		2N7002*
RDS(on) @10 V max = 3 Ω
80 VIPP016N08NF2S*
RDS(on) @10 V max = 1,6 mΩ

IPP019N08NF2S*
RDS(on) @10 V max = 1,9 mΩ

IPP024N08NF2S*
RDS(on) @10 V max = 2,4 mΩ

IPP040N08NF2S*
RDS(on) @10 V max = 4 mΩ

IPP055N08NF2S*
RDS(on) @10 V max = 5,5 mΩ
100 VBSS123I
RDS(on) @10 V max = 6 Ω
RDS(on) @4,5 V max = 10 Ω

BSS169I*
RDS (on) (@0 V) = 12 Ω 		BSS169I*
RDS(on) @10 V max = 6 Ω

BSS123I
RDS(on) @10 V max = 6 Ω
RDS(on) @4,5 V max = 10 Ω		IPP026N10NF2S*
RDS(on) @10 V max = 2,6 mΩ

IPP050N10NF2S*
RDS(on) @10 V max = 5 mΩ

IPP082N10NF2S*
RDS(on) @10 V max = 8,2 mΩ

IPP129N10NF2S*
RDS(on) @10 V max = 12,9 mΩ
250 VBSS139I*
RDS (on) (@0 V) = 30 Ω 		BSS139*I
RDS(on) @10 V max = 14 Ω

Hochspannungs-MOSFETs ≥ 500 V

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Dieses ausgewählte Portfolio an Hochleistungs-MOSFETs bietet einfache Lösungen zu konkurrenzfähigen Preisen, die eine breite Verfügbarkeit und etablierte Qualität aufweisen.

Gehäuse
Spannungsklasse		TO-252
(DPAK)		TO-263
(D²PAK)		TO-220TO-220 FPTO-220 FP NLTO-247
500 VIPD50R280CE
RDS(on) = 280 mΩ		IPP50R190CE
RDS(on) = 190 mΩ

IPP50R280CE
RDS(on) = 280 mΩ		IPA50R500CE
RDS(on) = 500 mΩ
600 V / 650 VIPD60R180P7S
RDS(on) = 180 mΩ

IPD60R280P7S
RDS(on) = 280 mΩ

IPD60R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ

IPD60R600P7S
RDS(on) = 600 mΩ

IPD60R650CE
RDS(on) = 650 mΩ		SPB11N60C3
RDS(on) = 380 mΩ		SPP20N60C3
RDS(on) = 190 mΩ		IPA60R180P7S
RDS(on) = 180 mΩ

IPA60R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ

IPA60R400CE
RDS(on) = 400 mΩ

IPA65R650CE
RDS(on) = 650 mΩ		IPAN60R280P7S
RDS(on) = 280 mΩ

IPAN60R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ

IPAN60R600P7S
RDS(on) = 600 mΩ		SPW20N60C3
RDS(on) = 190 mΩ
700 VIPD70R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ

IPD70R1K4P7S
RDS(on) = 1400 mΩ		IPA70R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ		IPAN70R360P7S
RDS(on) = 360 mΩ
800 VSPD06N80C3
RDS(on) = 900 mΩ

IPD80R2K8CE
RDS(on) = 2800 mΩ		SPP17N80C3
RDS(on) = 290 mΩ

SPP04N80C3
RDS(on) = 1300 mΩ		SPA11N80C3
RDS(on) = 450 mΩ

SPA08N80C3
RDS(on) = 650 mΩ		SPW55N80C3
RDS(on) = 85 mΩ
900 VIPD90R1K2C3
RDS(on) = 1200 mΩ		IPB90R340C3
RDS(on) = 340 mΩ		IPP90R1K2C3
RDS(on) = 1200 mΩ		IPA90R340C3
RDS(on) = 340 mΩ		IPW90R120C3
RDS(on) = 120 mΩ

Ressourcen