Optimieren Sie die Effizienz und Zuverlässigkeit Ihrer Power over Ethernet(PoE)-Anwendungen mit den hochmodernen Stromversorgungslösungen von Infineon für PoE

Mit der modernen Technologie können Sie Netzteile gestalten, die sowohl platz- als auch energieeffizient sind und sich selbst für die anspruchsvollsten PSE-Anwendungen eignen.

Mit Fortschritten in der Technologie und neuen PoE-Industriestandards wie IEEE 802.3bt kann man jetzt bis zu 100 W über Power over Ethernet bereitstellen. Allerdings stellt dies bei der Entwicklung von Hauptnetzteilen für PoE-Stromversorgungsgeräte (PSE) einzigartige Herausforderung dar. Um diese zu meistern, ermöglichen die resonanten SMPS-Topologien von Infineon mit effizienten Hochleistungs-MOSFETs die Beibehaltung der gleichen Systemgröße bei gleichzeitiger Erhöhung der verfügbaren Leistung pro PoE-Port.

Vorteile von Power over Ethernet

Abgesehen davon, dass Daten und Konnektivität über ein einziges Twisted-Pair-Ethernet-Kabel laufen (Einsparung eines herkömmlichen AC-Netzkabels), besteht einer der größten Vorteile von PoE darin, dass es eine Zentralisierung des Power-Managements ermöglicht. Bei herkömmlichen Stromversorgungssystemen verfügt jedes Gerät über ein eigenes Netzteil, das Energie verbraucht, selbst wenn das Gerät nicht verwendet wird. Mit PoE können jedoch alle Geräte von einer einzigen zentralen Stromquelle aus versorgt werden, die bei Nichtgebrauch ausgeschaltet oder verwaltet werden kann, sodass die Energieverschwendung reduziert wird.

Dank der Zentralisierung ist mit PoE auch die Fernverwaltung von Stromleistung möglich. Das bedeutet, dass Geräte aus der Ferne ein- oder ausgeschaltet werden können und ihr Energieverbrauch von einem Ort wie dem Gebäudemanagementsystem aus überwacht und zentral verwaltet werden kann. Dies verbessert nicht nur die Energieverwendung, sondern bietet auch mehr Kontrolle und Flexibilität über die Stromversorgung eines Gebäudes.

PoE stellt zudem eine zuverlässigere und sicherere Stromversorgung bereit. Herkömmliche Stromversorgungssysteme sind häufig anfällig für Stromausfälle und Überspannungen des AC-Netzes, welche Geräte beschädigen und ihre Leistung beeinträchtigen können. Mit PoE ist die Stromversorgung zentralisiert und kann durch eine unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV) unterstützt werden, wodurch eine stabilere Stromquelle für verbundene Geräte, z. B. für Überwachungskameras, bereitgestellt wird.

Übersicht typischer Anforderungen an IEEE 802.3bt-konforme PoE-PSE:

  • Höhere Ausgangsleistung, da dem PoE-Leistungsbudget mit jedem zusätzlichen Port bis zu 100 W erforderliche Leistung hinzugefügt werden
  • Mehrstufige SMPS-Designs mit PFC, DC/DC-Hauptstufe, Gleichrichtung plus ORing bei Bedarf
  • Erhöhte Leistungsdichte zur Beibehaltung des bestehenden Formfaktors trotz steigender Ausgangsleistung
  • Hoher Wirkungsgrad für breite Lastzustände der Hauptstromversorgung
  • Für PoE-PSE-Port-MOSFETs hoher Wirkungsgrad durch niedrigen RDS(on) und Zuverlässigkeit durch weite sichere Betriebsbereiche (SOA)

Designvorteile der Produktfamilien OptiMOS™ 5, OptiMOS™ 6 und CoolMOS™ P7 von Infineon

Aufgrund der erhöhten Leistungsebene pro Port mit dem neuesten IEEE 802.3bt-Standard muss auch die jeweilige Leistungsebene der Hauptstromversorgungen für PoE-PSE-Anwendungen erhöht werden. MOSFETs mit einer Nennspannung zwischen 40 V und 100 V, die von der typischen Systemspannung abhängen, werden dazu verwendet, die ORing-Funktion bereitzustellen, wenn mehrere Leistungsstufen in PoE-Netzteilen für PSE kombiniert werden. Für die Synchrongleichrichtung auf der Sekundärseite der Stromversorgung vor der ORing-Stufe werden jedoch aufgrund der typischen PoE-Spannungen von 44 V bis 57 V normalerweise OptiMOS™ 6-MOSFETs mit 80 V und 100 V als zuverlässig angesehen, während die höchste Systemeffizienz beibehalten wird.

Auf der Primärseite ermöglichen Superjunction-MOSFETs wie die CoolMOS™-Produktfamilie von Infineon höchste Effizienz, erstklassige Leistung mit hoher Robustheit und Zuverlässigkeit für die Umwandlung von AC-Spannung in DC-Spannung. Die Produktfamilie der CoolMOS™ P7-SJ-MOSFETs (600 V) bietet höchste Effizienz und eine verbesserte Leistungsdichte aufgrund der deutlich reduzierten QG- und EOSS-Werte sowie einen optimierten RDS(on), was sie ideal für PoE-PSE-Anwendungen macht.

Die sorgfältig ausgewählten integrierten Gate-Widerstände ermöglichen eine sehr geringe Klingelneigung. Aufgrund der hervorragenden Robustheit der Body-Diode gegen harte Kommutierungen sind sie sowohl für harte als auch für schaltende Topologien wie LLC geeignet. Darüber hinaus trägt die hervorragende ESD-Fähigkeit dazu bei, die Qualität in der Fertigung zu verbessern. Der CoolMOS™ P7 (600 V) bietet eine breite Palette von RDS(on)-Gehäusekombinationen, darunter THD- sowie SMD-Geräte, mit einer RDS(on)-Granularität von 24 mΩ bis 600 mΩ und sorgt für das wettbewerbsfähigste Preis-/Leistungsverhältnis aller 600 V-CoolMOS™-Angebote.

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Hervorgehobenes Produkt

Der lineare n-Kanal-OptiMOS™ 5-FET (100 V) ISZ113N10NM5LF bietet die robuste Leistung, die für PSE-Ports (Stromversorgungsgeräte) erforderlich ist, um verbundene Geräte zuverlässig mit Strom zu versorgen.
Der ISZ113N10NM5LF schützt vor Überspannung und Kurzschluss und ermöglicht einen höheren Schutz sowie eine höhere Systemzuverlässigkeit.

Eigenschaften des ISZ113N10NM5LF
  • Großer sicherer Betriebsbereich (SOA)
  • Maximaler RDS(on)-Widerstand 11,3 mΩ
  • Maximaler durchgängiger Drainstrom ID 63 A
  • n-Kanal-MOSFET
  • Typische 3,1 V Gate-Schwellenspannung (Normalpegel)
  • Nach JEDEC vollständig qualifiziert für industrielle Anwendungen
  • 100 % Avalanche-getestet

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