Halbleiter-Isolatoren und -relais
Zuverlässig, geringer Stromverbrauch, hohe Schaltfrequenz
Halbleiter-Isolatoren (SSI) ermöglichen:
- Erstellung von kundenspezifischen Halbleiterrelais für Lasten bis 30 kW
- Energieübertragung über die Isolationsbarriere zur Ansteuerung großer MOSFETs oder IGBTs ohne zusätzliche isolierte Stromversorgungsschaltung
- Innovative Schutzfunktionen für die Entwicklung robuster und zuverlässiger Halbleiterrelais
Hauptmerkmale
- Kernlose Transformatoren-Technologie
- Treibt Benchmark-MOSFETs von Infineon an
- Temp.-Sensor / Stromschutz
- Schalter für schnelles Ein-/Ausschalten
- Energieübertragung über die Isolationsbarriere
- Dynamische Miller-Klemmfunktion
- Breite Gehäuse (300Mil)
- Hohe Kriech- und Luftstrecke
- Verstärkte Isolierung
Die wichtigsten Vorteile
- Keine isolierte Vorspannungsversorgung erforderlich
- Galvanische Trennung bis 5,7 kVRMS
- Minimiert den Bedarf an Kühlkörpern
- Größte Auswahl an steuerbaren Schaltern
- Sicheres Ein- und Ausschalten im Schalter-SOA
- Sicherer Betrieb von Schalter und System
- Eliminiert störende Kontakteinschaltereignisse
Anwendungen für kernlose Transformator-Isolatoren
In Kombination mit einem Leistungsschalter sind diese Halbleiter-Isolatoren ein vielseitiges Schaltungselement, mit dem kundenspezifische Halbleiterrelais erstellt werden können. Diese kernlosen transformatorbasierten Halbleiterrelais können elektromechanische Relais und Reed-Relais ersetzen.
Halbleiterrelais werden in zahlreichen Anwendungen eingesetzt, wie z. B.:
- Batterie-Managementsysteme
- Netzteile
- Prozesssteuerung
- Leistungsverteilung
- speicherprogrammierbare Steuerungen (SPSen)
- automatische Messtechnik
- Industrieautomation
- Robotik
- Instrumentierungssysteme
- Thermostate
- Audiogeräte
- Ein-/Aus-Hakenumschalter
- allgemeines Schalten
- Steuerung von Display und Anzeigen
Neues Produktportfolio
Die Produktfamilie der Halbleiter-Isolatoren bietet eine leistungsstarke Energieübertragung über eine galvanische Isolationsbarriere zur Ansteuerung von Gates von MOS-gesteuerten Leistungstransistoren, wie z. B. CoolMOS™, OptiMOS™ oder TRENCHSTOP™ IGBT
Die neuen kernlosen Transformator-basierten Isolatoren von Infineon bieten:
- Höhere Schaltfrequenz und zuverlässigeres Schaltverhalten
- Reduzierte Gesamtbetriebskosten
- Robuste Schutzfunktionen
- Kompatibilität mit dem breiten Schalterportfolio von Infineon
- Verbesserung von Halbleiterlösungen, wobei der Ersatz mechanischer Lösungen begünstigt wird
