Nexperia GaN campaign Global | Farnell Deutschland

Übersicht

In Zusammenarbeit mit Nexperia, dem Experten für diskrete und MOSFET-Bauelemente sowie analoge und Logik-ICs, präsentiert Farnell einen äußerst effizienten GaN-FET mit branchenführender Leistung.

Die effiziente Leistungsnutzung ist eine zentrale Herausforderung für die Industrie und eine Triebkraft für Innovationen. Der gesellschaftliche Druck und die Gesetzgebung fordern höhere Wirkungsgrade bei Leistungsumwandlung und -steuerung. Die Effizienz der Leistungsumwandlung und die Leistungsdichte sind bei einigen Anwendungen für die Marktakzeptanz von wesentlicher Bedeutung. Musterbeispiele sind der Trend zur Elektrifizierung von Kraftfahrzeugen sowie die Bereiche Hochspannungskommunikation und industrielle Infrastruktur. GaN-FETs ermöglichen kleinere, schnellere, kühlere und leichtere Systeme bei geringeren Gesamtsystemkosten.

Versorgung der IoT-Infrastruktur

Die Bereitstellung der ständig verfügbaren Cloud-Konnektivität, der Verarbeitungsleistung und des Speichers, die wir benötigen, erfordert viel Strom. Um eine geringere Verlustleistung in der industriellen Automatisierung, in Rechenzentren und in der Telekommunikationsinfrastruktur zu ermöglichen, sind sehr effiziente High-End-Netzteile erforderlich. Aus diesem Grund sind die höhere Dichte und effizientere Leistungsumwandlung, welche die GaN-on-Si-Technologie bietet, entscheidend.

Elektrifizierung von Fahrzeugantrieben

Da jedes abgegebene Gramm CO₂ in heutigen Fahrzeugen von Bedeutung ist, wird die Umstellung auf elektrisch angetriebene Kfz vorangetrieben. Es ist zu erwarten, dass in den nächsten zwei Jahrzehnten das Wachstum des Marktes für Leistungshalbleiter durch die Elektrifizierung von Fahrzeugantrieben, von Hybrid-Fahrzeugen bis hin zu vollständigen Elektrofahrzeugen, dominiert wird. Die Leistungsdichte und der Wirkungsgrad von GaN-on-Si werden in diesem Bereich eine führende Rolle spielen, insbesondere bei boardinternen Ladegeräten (EV-Aufladung), DC/DC-Wandlern und Motor-Antriebsumrichtern (xEV-Antriebsumrichter).

Produkte

Die aktuellen GaN-FET-Produkte und die Entwicklungs-Roadmap von Nexperia konzentrieren sich auf die Bereitstellung zuverlässiger Produkte zur Unterstützung von Kfz- und IoT-Infrastrukturanwendungen. Die GaN-Prozesstechnologie basiert auf unseren robusten und bewährten Fertigungsprozessen, die heute branchenführende Leistungs-GaN-FETs erzeugen.

Funktionen und Vorteile:

Einfache Gate-Ansteuerung, niedriger RDS(ON), schnelle Schaltfrequenz
Ausgezeichnete Body-Diode (niedrige Durchlassspannung), niedriger Qrr
Besonders robust
Niedriger dynamischer RDS(ON)
Stabile Schaltleistung
Robuste Gate-Bounce-Immunität (Vth ~ 4 V)

	GAN063-650WSA	GGAN041-650WSB
V_DS	650 V	650 V
Max. R_DS(on)	60 mΩ	41 mΩ
Gehäuse	TO-247 (SOT429)	TO-247 (SOT429)
	Jetzt kaufen	In Kürze erhältlich

Für die Zukunft entwickeln

Nexperia konzentriert sich weiterhin auf die Entwicklung von GaN-FETs mit äußerst hoher Zuverlässigkeit und Leistungsqualität sowie auf stetige Weiterentwicklungen in den Bereichen: