IGBTs (600 V)
Robuste und kostengünstige Hochvolt-Lösungen
Diskrete IGBTs (Bipolartransistoren mit isoliertem Gate) sind ein fester Bestandteil von Mittel- und Hochspannungsanwendungen.
Mit der steigenden Nachfrage nach robusten, effizienten und kostengünstigen Energielösungen für eine wachsende Palette von Anwendungen erfüllt das IGBT-Portfolio mit fortschrittlicher trägergelagerter Trench-Gate-Feldstopp-Struktur (FS) von Nexperia diese Anforderungen der Branche.
Die anfänglich aus 600 V-Geräten bestehenden IGBTs von Nexperia bieten eine hohe Robustheit und eine verbesserte Wechselrichter-Leistungsdichte für industrielle Anwendungen. Das ist ideal für traditionellere Stromanwendungen wie Heizungs-, Lüftungs- und Klimaanlagen (HLK) sowie das Elektroschweißen und die induktive Erwärmung. Aber auch für die Leistungsumwandlung und für Motorantriebe im Stromsystem, einschließlich erneuerbare Energien (Photovoltaik (PV)-Stränge, Wärmepumpen), Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und industrielle Servomotoren (5-20 kW (20 kHz)) für die Robotik.
Hauptmerkmale und Vorteile
Empfohlene Produkte
NGW30T60M3DF
Robuster trägergelagerter Trench FS3-SC-IGBT, 600 V, 30 A
Der NGW30T60M3DF ist ein robuster IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate) mit Technologie der dritten Generation. Er kombiniert trägergespeicherte Trench-Gate- und Feldstopp (FS)-Strukturen. Der NGW30T60M3DF ist auf 175 °C mit optimierten IGBT-Abschaltverlusten ausgelegt und weist eine Kurzschlussfestigkeit von 5 μs auf. Dieser hart schaltende IGBT (600 V, 30 A) ist für Anwendungen bei industriellen Hochspannungs-, Niederfrequenz-Leistungswechselrichtern und Servomotorantrieben optimiert.
NGW40T60H3DF
IGBT mit Trench-Struktur, Diode mit kurzer Erholzeit
Der NGW40T60H3DF ist ein robuster IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate) mit Technologie der dritten Generation. Er kombiniert trägergespeicherte Trench-Gate- und Feldstopp (FS)-Strukturen. Der NGW40T60H3DF ist auf 175 °C mit optimierten IGBT-Abschaltverlusten ausgelegt. Dieser hart schaltende IGBT (600 V, 40 A) ist für Anwendungen bei industriellen Hochspannungs-, Hochfrequenz-Leistungswechselrichtern optimiert.
NGW50T60M3DF
Trench-Feldstopp-IGBT (600 V, 50 A) mit vollständig kompatibler Siliziumdiode
Der NGW50T60M3DF ist ein robuster IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate) mit Technologie der dritten Generation. Er kombiniert trägergespeicherte Trench-Gate- und Feldstopp (FS)-Strukturen. Der NGW50T60M3DF ist auf 175 °C mit optimierten IGBT-Abschaltverlusten ausgelegt und weist eine Kurzschlussfestigkeit von 5 μs auf. Dieser hart schaltende IGBT (600 V, 50 A) ist für Anwendungen bei industriellen Hochspannungs-, Niederfrequenz-Leistungswechselrichtern und Servomotorantrieben optimiert.
NGW75T60H3DF
IGBT mit Trench-Struktur, Diode mit kurzer Erholzeit
Der NGW75T60H3DF ist ein robuster IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate) mit Technologie der dritten Generation. Er kombiniert trägergespeicherte Trench-Gate- und Feldstopp (FS)-Strukturen. Der NGW75T60H3DF ist auf 175 °C mit optimierten IGBT-Abschaltverlusten ausgelegt. Dieser hart schaltende IGBT (600 V, 75 A) ist für Anwendungen bei industriellen Hochspannungs-, Hochfrequenz-Leistungswechselrichtern optimiert.
Anwendungen
Industrielle Motorantriebe – insbesondere 5 Servomotoren (20 kW (20 kHz))
Robotik, Aufzüge, Bediengreifer, Inline-Fertigung
Leistungswechselrichter
Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
Photovoltaik (PV)-Stränge
Laden von Elektrofahrzeugen
