Baureihe an Super Junction-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs (600 V) mit ultraniedrigem R_DS(on)

Dieses Produkt beruht auf dem U-MOS-X-Prozess und bietet einen verbesserten Einschaltwiderstand sowie einen sicheren Betriebsbereich.

Toshiba hat eine neue Baureihe an n-Kanal-Leistungs-MOSFETs auf den Markt gebracht. Das erste Produkt der Baureihe DTMOSVI mit 600 V ist der TK055U60Z1, der auf dem Prozess der neuesten Generation von Toshiba beruht und eine Super Junction-Struktur aufweist.

Der neue MOSFET verfügt über einen R_DS(on) von lediglich 55 mΩ – eine Verbesserung von 13 % gegenüber ähnlichen Geräten der etablierten Baureihe DTMOSIV-H des Unternehmens. Darüber hinaus wird der R_DS(on) x Q_gd, der Leistungsfaktor für die MOSFET-Leistung, um etwa 52 % verbessert. Zu den Zielanwendungen gehören hocheffiziente Schaltnetzteile in Rechenzentren, Leistungskonditionierer für Photovoltaikgeneratoren und unterbrechungsfreie Stromversorgungssysteme.

Die neuen n-Kanal-Leistungs-MOSFETs nutzen fortschrittliche Wärmeableitungsfunktionen, um größere Fahrzeugströme zu unterstützen

40 V-Geräte bieten höhere Stromkapazitäten und niedrigere Einschaltwiderstandswerte in thermisch verbesserten L-TOGL^TM-Gehäusen.

Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat zwei neue n-Kanal-Leistungs-MOSFETs (40 V) für die Kfz-Branche auf den Markt gebracht, die eine greifbare Auswirkung auf das Fahrzeugdesign der nächsten Generation haben werden. Die XPQR3004PB und XPQ1R004PB verwenden das bahnbrechende große Transistor-Outline-Gull-Wing-Leads-Gehäuseformat, das als L-TOGL^TM bezeichnet wird.

Noch vor der Serienproduktion ist es dem XPQR3004PB gelungen, sich bei den vor Kurzem von AspenCore organisierten World Electronics Achievement Awards (WEAA) in der Kategorie Leistungshalbleiter/Treiber des Jahres 2022 Platz eins zu sichern.

Dank ihrer L-TOGL-Gehäuse und der daraus resultierenden verbesserten Wärmeableitungseigenschaften sind die neu auf den Markt gebrachten Toshiba-MOSFETs in hohem Maße für den Umgang mit großen Strömen optimiert.

Neue leistungsstarke MOSFETs (150 V) der Baureihe U-MOS X-H

Verbesserte Sperrverzögerung reduziert Synchrongleichrichtungsverluste erheblich

Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat einen neuen n-Kanal-Leistungs-MOSFET (150 V) auf Basis ihres U-MOS X-H-Trench-Prozesses der neuesten Generation auf den Markt gebracht. Das neueste Gerät (TPH9R00CQ5) ist speziell für den Einsatz in leistungsstarken Schaltnetzteilen ausgelegt, wie sie in Kommunikationsbasisstationen oder anderen industriellen Anwendungen verwendet werden. Mit einem maximalen V_DSS-Wert von 150 V und einer Stromaufnahme (I_D) von 64 A weist das neue Gerät einen sehr niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (R_DS(ON) auf

In Stromversorgungslösungen mit hoher Leistung, welche Synchrongleichrichtung verwenden, ist die Sperrverzögerungsleistung äußerst wichtig. Dank der Integration einer High-Speed-Body-Diode reduziert der neue TPH9R00CQ5 die Sperrverzögerungsladung (Q_rr) im Vergleich zu einem bestehenden Gerät wie dem TPH9R00CQH um etwa 74 % (auf typ. 34 nC). Darüber hinaus stellt die Sperrverzögerungszeit (t_rr) von lediglich 40 ns eine Verbesserung von über 40 % im Vergleich zu früheren Geräten dar.

Toshiba erweitert das Sortiment an Super Junction-MOSFETs um vier zusätzliche 650 V-Geräte.

Verbesserte Leistung und reduzierte Verluste verbessern die Effizienz der Stromversorgung

Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat weitere vier n-Kanal-Super Junction-Leistungs-MOSFETs (650 V) hinzugefügt, um ihre Baureihe DTMOSVI zu erweitern. Die neuen Geräte bauen auf dem Markterfolg der aktuellen Geräte auf und werden primär in Anwendungen wie Industrie und Beleuchtungsstromversorgung und anderen Bereichen eingesetzt, bei denen ein hoher Wirkungsgrad bei kleinem Formfaktor erforderlich ist.

Die neuen MOSFETs der Baureihen TK090E65Z, TK110E65Z, TK155E65Z und TK190E65Z erreichen im Vergleich zur vorherigen DTMOS-Generation eine 40 %-Reduktion der Leistungszahl von Drain-Source-Einschaltwiderstand (R_DSON) x Gate-Drain-Ladung (Q_gd). Dies wird zu einer erheblichen Verringerung der Schaltverluste gegenüber früheren Geräten führen.  Infolgedessen werden Designs, welche die neuen Geräte enthalten, eine Effizienzsteigerung erfahren. Die Leistungssteigerung gilt für neue Designs sowie für Upgrades bestehender Designs.

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